半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其ESD器件

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201921831653.9 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN210296371U 公開（公告）日 2020-04-10
申請(qǐng)公布號(hào) CN210296371U 申請(qǐng)公布日 2020-04-10
分類號(hào) H01L27/02 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 周斌 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 深圳市賽元微電子股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 代理人 駱希聰
地址 518000 廣東省深圳市南山區(qū)高新區(qū)南區(qū)粵興三道8號(hào)中國(guó)地質(zhì)大學(xué)產(chǎn)學(xué)研基地中地大樓B610
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型涉及一種ESD器件，包括：第一類型的襯底第二類型的阱區(qū)、至少一組第一類型MOS器件、至少一組第二類型MOS器件、位于阱區(qū)且圍繞一個(gè)或多個(gè)第一類型MOS器件的第二類型的第一擴(kuò)散區(qū)、位于襯底且圍繞一個(gè)或多個(gè)第一類型MOS器件的第一類型的第二擴(kuò)散區(qū)、位于襯底且依次圍繞一個(gè)或多個(gè)第二類型MOS器件的第一類型的第三擴(kuò)散區(qū)和位于襯底且圍繞一個(gè)或多個(gè)第二類型MOS器件的第二類型的第四擴(kuò)散區(qū)。其中，第一至第四擴(kuò)散區(qū)在第一類型MOS器件和第二類型MOS器件之間的部分沿第一方向延伸，且第一柵極和第二柵極的延伸方向平行于第一方向，第一類型與第二類型相反。