一種超硬耐高溫Ta-C涂層的制備工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110296863.8 申請日 -
公開（公告）號 CN113061844A 公開（公告）日 2021-07-02
申請公布號 CN113061844A 申請公布日 2021-07-02
分類號 C23C14/06;C23C14/14;C23C14/34;C23C14/02 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 張心鳳;夏正衛(wèi);李燦民;范洪躍 申請（專利權(quán)）人 安徽純源鍍膜科技有限公司
代理機構(gòu) 合肥九道和專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 胡發(fā)丁
地址 230088 安徽省合肥市高新區(qū)永和路99號一天電氣F廠房101-A區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種超硬耐高溫Ta?C涂層的制備工藝，包括將工件置于真空腔室內(nèi)，對真空腔室進行抽氣處理，抽氣處理后對真空腔室、純離子鍍膜源、工件中的一者或幾者進行除雜處理，除雜處理后，采用濺射鍍膜在工件表面依次制備種子層、金屬過渡層、Ta?C過渡層、Ta?C交替層和Ta?C主功能層，所述的種子層為Ni、Cr、NiCr、NiAl中的一者；金屬過渡層為Ti、TiSi、TiAl、TiCr中的一者；制備Ta?C過渡層時，工件連接的偏壓值為T1的偏壓；制備Ta?C交替層時，工件交替連接偏壓值為T2、T3的偏壓，制備Ta?C主功能層時，工件連接偏壓值為T4的偏壓，其中T1＞T2＞T3＞T4。本發(fā)明提供的上述方案，其制備的膜層性能優(yōu)異，膜層超硬且耐高溫。