一種超黑高性能Ti-DLC涂層的制備工藝
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110298324.8 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(kāi)(公告)號(hào) | CN113061845A | 公開(kāi)(公告)日 | 2021-07-02 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN113061845A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-07-02 |
分類號(hào) | C23C14/06;C23C14/34;C23C14/02;C23C14/14 | 分類 | 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面化學(xué)處理;金屬材料的擴(kuò)散處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆;金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕; |
發(fā)明人 | 張心鳳;夏正衛(wèi);李燦民;范洪躍 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 安徽純?cè)村兡た萍加邢薰?/a> |
代理機(jī)構(gòu) | 合肥九道和專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) | 代理人 | 胡發(fā)丁 |
地址 | 230088 安徽省合肥市高新區(qū)永和路99號(hào)一天電氣F廠房101-A區(qū) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明涉及一種超黑高性能Ti?DLC涂層的制備工藝,包括將工件置于真空腔室內(nèi),對(duì)真空腔室進(jìn)行抽氣處理,抽氣處理后對(duì)真空腔室和/或工件進(jìn)行除雜處理,除雜處理后向真空腔室內(nèi)充入Ar,采用中頻電源孿生Ti靶在工件的表面制備打底層,打底層制備好后,向真空腔室內(nèi)增加充入C2H2,在打底層上制備過(guò)渡層,制備過(guò)渡層的過(guò)程中按照需求調(diào)控過(guò)渡層制備參數(shù)進(jìn)行變化,調(diào)控變化的過(guò)渡層制備參數(shù)包括Ar充入量、C2H2充入量、工件偏壓、Ti靶材電壓中的一者或幾者;過(guò)渡層制備好后,保持各過(guò)渡層制備參數(shù)穩(wěn)定繼續(xù)鍍膜,從而在過(guò)渡層上制備出穩(wěn)定色層。本發(fā)明提供的上述方案,其制備的鍍膜性能優(yōu)異,DLC的L值低于30,可有效擴(kuò)展應(yīng)用范圍。 |
