傳輸通道裝置及真空鍍膜設(shè)備

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202021264826.6 申請日 -
公開（公告）號 CN213357729U 公開（公告）日 2021-06-04
申請公布號 CN213357729U 申請公布日 2021-06-04
分類號 C23C14/35;C23C16/44 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 張心鳳 申請（專利權(quán)）人 安徽純源鍍膜科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 合肥九道和專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 時理想
地址 230000 安徽省合肥市高新區(qū)永和路99號F棟
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型涉及真空鍍膜設(shè)備領(lǐng)域，具體涉及一種傳輸通道裝置，包括通道本體，通道本體內(nèi)形成供等離子體通過的A通道，A通道的兩端分別構(gòu)成A入口和A出口，通道本體的內(nèi)壁上設(shè)置有用于吸附等離子體中雜質(zhì)組分的吸附單元。本實用新型提供的傳輸通道裝置，其在通道本體內(nèi)形成A通道，等離子體通過A通道一端的A入口進(jìn)入，并由A通道另一端的A出口輸出，通過在通道本體的內(nèi)壁上設(shè)置吸附單元，實現(xiàn)對等離子體中雜質(zhì)組分的吸附，從而提高效果。另，本實用新型還提供了一種應(yīng)用上述傳輸通道裝置的鍍膜設(shè)備，其能夠通過提高傳輸通道裝置過濾效果，實現(xiàn)鍍膜質(zhì)量的提高。