晶體生長(zhǎng)裝置

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202123390633.2 申請(qǐng)日 -
公開(公告)號(hào) CN216786304U 公開(公告)日 2022-06-21
申請(qǐng)公布號(hào) CN216786304U 申請(qǐng)公布日 2022-06-21
分類號(hào) C30B15/00(2006.01)I 分類 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 顏?zhàn)悠?/td> 申請(qǐng)(專利權(quán))人 中環(huán)領(lǐng)先(徐州)半導(dǎo)體材料有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京清亦華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 代理人 -
地址 221004江蘇省徐州市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)鑫芯路1號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開了一種晶體生長(zhǎng)裝置,包括爐體、隔離閥和護(hù)套組件,爐體內(nèi)限定出爐腔,爐腔包括主室、隔離室和副室,隔離室設(shè)于主室和副室之間,且與主室和副室分別連通,隔離閥設(shè)于隔離室,且用于隔斷或?qū)ǜ綦x室,護(hù)套組件的至少部分設(shè)于隔離室,護(hù)套組件限定出連通通道以連通主室和副室,護(hù)套組件適于套設(shè)于晶體外,隔離閥導(dǎo)通隔離室時(shí)在爐體的徑向上,護(hù)套組件適于將晶體與隔離室的周壁面以及隔離閥間隔開。根據(jù)本實(shí)用新型的晶體生長(zhǎng)裝置,可以減小保護(hù)氣流流場(chǎng)不恒定對(duì)晶體生長(zhǎng)的影響,有利于提升晶體生長(zhǎng)效率以及晶體品質(zhì)。