加料管、加料方法及晶體生長設(shè)備

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210344856.5 申請日 -
公開（公告）號 CN114717646A 公開（公告）日 2022-07-08
申請公布號 CN114717646A 申請公布日 2022-07-08
分類號 C30B15/02（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 陳俊宏 申請（專利權(quán)）人 中環(huán)領(lǐng)先（徐州）半導(dǎo)體材料有限公司
代理機構(gòu) 北京清亦華知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 -
地址 221004江蘇省徐州市經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)鑫芯路1號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種加料管、加料方法及晶體生長設(shè)備，加料管用于晶體生長設(shè)備，且包括的管體和分隔組件，管體限定出加料腔，加料腔包括多個沿管體的軸向依次布置的盛放腔，相鄰兩個盛放腔通過連通口連通，多個分隔組件沿管體的軸向間隔設(shè)置，每個分隔組件設(shè)于連通口處，且分隔組件具有遮擋狀態(tài)和避讓狀態(tài)，在遮擋狀態(tài)下，分隔組件遮擋連通口以使相鄰兩個盛放腔隔斷，在避讓狀態(tài)下，分隔組件避讓連通口以使相鄰兩個盛放腔連通。根據(jù)本發(fā)明的加料管，可以實現(xiàn)物料的多次添加，以有效減少單次投放量，從而減小物料投放對熔湯的沖擊，避免熔湯飛濺。