一種MPCVD法批量生產(chǎn)金剛石單晶的方法、鉬質(zhì)基片臺(tái)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210199210.2 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN114561698A 公開（公告）日 2022-05-31
申請公布號(hào) CN114561698A 申請公布日 2022-05-31
分類號(hào) C30B29/04（2006.01）I;C30B30/00（2006.01）I;C23C16/27（2006.01）I;C30B25/02（2006.01）I;C30B25/12（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 魯振海;黎振坤;王蒙;張春林;常新磊 申請（專利權(quán)）人 河南天璇半導(dǎo)體科技有限責(zé)任公司
代理機(jī)構(gòu) 鄭州睿信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 -
地址 450000河南省鄭州市河南自貿(mào)試驗(yàn)區(qū)鄭州片區(qū)（鄭東）龍湖中環(huán)路與龍?jiān)次魉慕纸徊婵趩⒌相崠|科技城產(chǎn)促中心2樓226號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種MPCVD法批量生產(chǎn)金剛石單晶的方法、鉬質(zhì)基片臺(tái)，屬于金剛石單晶的制備技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明的方法，包括以下步驟：1）將單晶金剛石籽晶擺放到基片臺(tái)的鉬質(zhì)基片臺(tái)上；所述鉬質(zhì)基片臺(tái)的背面開設(shè)有環(huán)槽和散熱槽，所述散熱槽開設(shè)于所述環(huán)槽的外側(cè)并向外延伸；2）然后開啟微波等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備采用等離子體化學(xué)氣相沉積法沉積金剛石單晶。本發(fā)明的方法，通過在鉬質(zhì)基片臺(tái)背面開設(shè)環(huán)槽和散熱槽，能夠降低鉬質(zhì)基片臺(tái)邊緣部位的散熱效果，顯著降低微波等離子體化學(xué)氣相沉積金剛石單晶過程中單晶金剛石籽晶的溫差，使得金剛石單晶批量化正式生長中生產(chǎn)效率及生長質(zhì)量得到了極大的提高，有較好的工業(yè)應(yīng)用價(jià)值。