一種背接觸晶體硅太陽能電池及其制作工藝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201210085796.6 申請日 -
公開（公告）號 CN102610686A 公開（公告）日 2012-07-25
申請公布號 CN102610686A 申請公布日 2012-07-25
分類號 H01L31/068(2012.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/0216(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 殷晏庭;王艷 申請（專利權(quán)）人 星尚光伏科技（蘇州）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京縱橫知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 董建林
地址 215129 江蘇省蘇州市高新區(qū)金楓路555號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種背接觸硅太陽能電池，包括經(jīng)過表面織構(gòu)化的N型單晶硅片，正面設(shè)有第一N型重?fù)诫s層，外面依次設(shè)有第一SiO2鈍化層和減反射膜層；背面設(shè)有相互間隔設(shè)置的第二N型重?fù)诫s層和P型重?fù)诫s層，外設(shè)有第二二氧化硅鈍化層，第二N型重?fù)诫s層處的第二SiO2鈍化層外依次設(shè)有重?fù)诫sAZO薄膜層和銀漿；所述P型重?fù)诫s層處的第二SiO2鈍化層外依次設(shè)有重?fù)诫sCuAlO2薄膜層覆和銀鋁漿。本發(fā)明還公開了一種背接觸硅太陽能電池的制作工藝。本發(fā)明解決了現(xiàn)有技術(shù)中太陽能電池轉(zhuǎn)換效率低下，而背接觸電池由于普遍采用激光打孔制作成本高昂的問題，經(jīng)過工藝改進(jìn)做到接觸面重?fù)诫s，附著重?fù)降妥鑄CO材料形成隧道電流，并且選擇采用低溫漿料燒結(jié)法，在保證電池效率的前提下降低了制作成本。