一種半導(dǎo)體材料的觸頭制作方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201911017260.9 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN110767543B | 公開(公告)日 | 2021-10-08 |
申請公布號 | CN110767543B | 申請公布日 | 2021-10-08 |
分類號 | H01L21/28(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 閆一方 | 申請(專利權(quán))人 | 蘇師大半導(dǎo)體材料與設(shè)備研究院(邳州)有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京和聯(lián)順知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 謝冰 |
地址 | 221300江蘇省徐州市邳州市邳州經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)遼河西路88號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體材料的觸頭制作方法,涉及材料科學(xué)技術(shù)領(lǐng)域。該半導(dǎo)體材料的觸頭制作方法,包括以下步驟:S1.準(zhǔn)備一半導(dǎo)體材料作為基板,對基板的表面進(jìn)行拋光處理,然后去除基板表面的污物,并將基板放入到HCl溶液中浸泡3?5min,取出后放入到真空環(huán)境中,利用去離子水對其表面進(jìn)行反復(fù)沖洗,最后利用氮氣對其進(jìn)行干燥處理;S2.在基板表面形成多個觸頭區(qū),然后利用濺射法對基板表面進(jìn)行鈍化,形成二氧化硅鈍化層,鈍化溫度為800?1200℃。通過制作觸頭的過程中,在基板的表面形成兩層鈍化層,使得半導(dǎo)體材料的表面以及觸頭位置都不易受到腐蝕,大大提高了基板以及觸頭的性能,從而讓半導(dǎo)體器件使用的穩(wěn)定性較好。 |
