超電容的組裝架構(gòu)及制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201210128593.0 申請日 -
公開（公告）號 CN102760584A 公開（公告）日 2012-10-31
申請公布號 CN102760584A 申請公布日 2012-10-31
分類號 H01G9/048(2006.01)I;H01G9/14(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 汪濂;農(nóng)友華 申請（專利權(quán)）人 廣西航天北斗新能源產(chǎn)業(yè)科技有限公司
代理機構(gòu) 上海專利商標事務(wù)所有限公司 代理人 胡林嶺
地址 廣西壯族自治區(qū)梧州市東出口兩省交界處粵桂大廈3樓306室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種超電容的組裝架構(gòu)及制造方法，超電容包含：至少一第一電極基板，其表面涂布有一活性物質(zhì)；以及至少一第二電極基板，其表面涂布有該活性物質(zhì)，第二電極基板的極性與第一電極基板的極性相反；其中，第一電極基板與第二電極基板系交錯堆迭，極性相同的數(shù)個第一電極基板或數(shù)個第二電極基板并聯(lián)電連接；第一電極基板及第二電極基板的彼此堆迭處的相對表面各設(shè)置呈框狀的一絕緣環(huán)，并在第一電極基板及第二電極基板的彼此堆迭處的相對表面與該絕緣環(huán)所圍成的空間填充電解液。