超電容的組裝架構(gòu)及制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201210128593.0 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN102760584B 公開(kāi)（公告）日 2016-06-01
申請(qǐng)公布號(hào) CN102760584B 申請(qǐng)公布日 2016-06-01
分類號(hào) H01G9/048(2006.01)I;H01G9/14(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 汪濂;農(nóng)友華 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 廣西航天北斗新能源產(chǎn)業(yè)科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 代理人 胡林嶺
地址 廣西壯族自治區(qū)梧州市東出口兩省交界處粵桂大廈3樓306室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種超電容的組裝架構(gòu)及制造方法，超電容包含：至少一第一電極基板，其表面涂布有一活性物質(zhì)；以及至少一第二電極基板，其表面涂布有該活性物質(zhì)，第二電極基板的極性與第一電極基板的極性相反；其中，第一電極基板與第二電極基板系交錯(cuò)堆迭，極性相同的數(shù)個(gè)第一電極基板或數(shù)個(gè)第二電極基板并聯(lián)電連接；第一電極基板及第二電極基板的彼此堆迭處的相對(duì)表面各設(shè)置呈框狀的一絕緣環(huán)，并在第一電極基板及第二電極基板的彼此堆迭處的相對(duì)表面與該絕緣環(huán)所圍成的空間填充電解液。