一種激光器外延結構及其制作方法、VCSEL芯片

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011557123.7 申請日 -
公開（公告）號 CN112615257A 公開（公告）日 2021-04-06
申請公布號 CN112615257A 申請公布日 2021-04-06
分類號 H01S5/183(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 林志偉;陳凱軒;童吉楚;謝昆江;徐楓 申請（專利權）人 廈門乾照激光芯片科技有限公司
代理機構 - 代理人 -
地址 361000福建省廈門市廈門火炬高新區(qū)（翔安）產(chǎn)業(yè)區(qū)翔天路269號8樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種激光器外延結構及其制作方法、VCSEL芯片，其中激光器外延結構包括：依次堆疊的襯底、緩沖層、N型DBR層、有源區(qū)、氧化層、P型DBR層及P型歐姆接觸層；所述N型DBR層和P型DBR層分別包括若干組交替生長的低折射率物質層和高折射率物質層，且所述低折射率物質層和所述高折射率物質層界面之間形成隧穿結，可以提高激光器內量子效應，有效提升激光器的性能。??