一種DRAM的電壓控制電路、內(nèi)存條及電子設備

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010167846.X 申請日 -
公開（公告）號 CN113393878A 公開（公告）日 2021-09-14
申請公布號 CN113393878A 申請公布日 2021-09-14
分類號 G11C11/4074（2006.01）I;G11C11/4063（2006.01）I 分類 信息存儲;
發(fā)明人 程振;李志雄;鐘衍徽 申請（專利權）人 深圳市江波龍電子股份有限公司
代理機構 深圳市威世博知識產(chǎn)權代理事務所（普通合伙） 代理人 周心志
地址 518057廣東省深圳市南山區(qū)科發(fā)路8號金融服務技術創(chuàng)新基地1棟8樓A、B、C、D、E、F1
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請?zhí)峁┮环NDRAM的電壓控制電路，包括：單片機，與內(nèi)存條上的SPD芯片連接；調(diào)壓電路，與所述單片機連接，并與所述內(nèi)存條上的至少一個DRAM連接，用于響應所述單片機的指令，對所述至少一個DRAM中的一個的電壓進行調(diào)壓。本申請實現(xiàn)了對DRAM的電壓控制，無需在DRAM內(nèi)單獨設計調(diào)壓電路，實現(xiàn)簡單，成本低且周期短，并且通過相互連接的單片機和調(diào)壓電路，大大提高DRAM顆粒運行的穩(wěn)定性和兼容性。