具有DDR高傳輸介面的新型SPI-NANDFlash存儲芯片及操作方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202011177835.6 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN112395218A | 公開(公告)日 | 2021-02-23 |
申請公布號 | CN112395218A | 申請公布日 | 2021-02-23 |
分類號 | G06F12/0882(2016.01)I;G06F15/78(2006.01)I | 分類 | 計算;推算;計數(shù); |
發(fā)明人 | 鄭文豪;施冠良;朱純瑩;黃歡;劉安偉 | 申請(專利權(quán))人 | 南京揚賀揚微電子科技有限公司 |
代理機構(gòu) | 南京蘇高專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 顏盈靜 |
地址 | 210000江蘇省南京市浦口區(qū)橋林街道步月路29號12幢-80 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種具有高傳輸介面的新型SPI?NAND Flash存儲芯片,包括:可用于下發(fā)SPI命令的SPI命令邏輯控制單元、MCU數(shù)字邏輯單元、NAND Flash存儲單元和DQS管腳;所述MCU數(shù)字邏輯單元包括DDR Ping緩沖器和DDR Pong緩沖器;所述NAND Flash存儲單元包括靜態(tài)隨機存取存儲器和NAND閃存,所述靜態(tài)隨機存取存儲器包括數(shù)據(jù)緩沖器和寄存器;所述DQS管腳與SPI命令邏輯控制單元進行信號交換,所述MCU數(shù)字邏輯單元和NAND Flash存儲單元進行信號交換,所述MCU數(shù)字邏輯單元內(nèi)置DDR模式,實現(xiàn)DQS管腳讀取NAND Flash存儲單元的數(shù)據(jù);根據(jù)SPI命令邏輯控制單元下發(fā)的SPI命令將資料載入數(shù)據(jù)緩沖器,下啟動DDR命令啟動DQS做同步信號Clock,通過Clock與DQS的信號而讀取資料。?? |
