用于構造5G基站射頻濾波器的單晶壓電諧振器及制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010834606.0 申請日 -
公開（公告）號 CN112152585A 公開（公告）日 2020-12-29
申請公布號 CN112152585A 申請公布日 2020-12-29
分類號 H03H9/17(2006.01)I;H03H9/56(2006.01)I 分類 基本電子電路;
發(fā)明人 高安明;劉偉;姜偉 申請（專利權）人 合肥爾微企業(yè)管理咨詢合伙企業(yè)（有限合伙）
代理機構 上海段和段律師事務所 代理人 李佳俊;郭國中
地址 325038 浙江省溫州市浙南科技城創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)新天地一期1號樓506室（自主申報）
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種用于構造5G基站射頻濾波器的單晶壓電諧振器及制備方法，包括：諧振器襯底1、保護層2、諧振器平板底電極3、單晶壓電材料4、通孔金屬5、第一凸起結(jié)構6、諧振器交叉上電極7以及第二凸起結(jié)構8；所述諧振器襯底1能夠支撐用于構造5G基站射頻濾波器的單晶壓電諧振器；所述諧振器襯底1的電阻大于設定閾值；所述諧振器襯底1的晶格常數(shù)與單晶壓電材料4相匹配；所述保護層2覆蓋在諧振器平板底電極3和諧振器交叉上電極7之上；本發(fā)明通過采用介質(zhì)材料背后刻蝕空氣腔工藝，從而保證了單晶壓電材料的絕對平整。此空氣反射腔具有完美反射聲波、加工方便、可靠性高等優(yōu)點。??