太陽能電池片

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202023256375.4 申請(qǐng)日 -
公開(公告)號(hào) CN214477490U 公開(公告)日 2021-10-22
申請(qǐng)公布號(hào) CN214477490U 申請(qǐng)公布日 2021-10-22
分類號(hào) H01L31/0236;H01L31/0216;H01L31/068;H01L31/18 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 肖俊峰;李巖;石剛 申請(qǐng)(專利權(quán))人 通威太陽能(金堂)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京市金杜律師事務(wù)所 代理人 劉迎春;張寧瀟
地址 610404 四川省成都市金堂縣淮口鎮(zhèn)金樂路東段1號(hào)(金堂工業(yè)園區(qū)內(nèi))
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型涉及一種太陽能電池片。所述太陽能電池片包括:硅片,所述硅片的底表面上設(shè)置有凹凸結(jié)構(gòu);氧化硅層,所述氧化硅層設(shè)置在所述硅片的底表面上并和所述硅片的底表面形狀適配從而所述氧化硅層的底表面也具有凹凸結(jié)構(gòu);摻雜多晶硅層,所述摻雜多晶硅層設(shè)置在所述氧化硅層的底表面上;鈍化層,所述鈍化層設(shè)置在所述硅片的頂表面上;正電極和背電極,所述正電極設(shè)置在所述鈍化層的頂側(cè),所述背電極設(shè)置在所述摻雜多晶硅層的底側(cè)。本實(shí)用新型中,通過在硅片的底表面上形成凹凸結(jié)構(gòu),能夠使非晶硅層按預(yù)設(shè)的方向結(jié)晶,最終形成的摻雜多晶硅層的晶粒的晶界大多傾向于垂直于硅片的方向,形成的摻雜多晶硅層的晶粒尺寸大,載流子遷移率高。