一種高光電轉(zhuǎn)換效率的HJT電池

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202120367433.6 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN215220744U 公開（公告）日 2021-12-17
申請(qǐng)公布號(hào) CN215220744U 申請(qǐng)公布日 2021-12-17
分類號(hào) H01L31/0747（2012.01）I;H01L31/0216（2014.01）I;H01L31/0224（2006.01）I;H01L31/18（2006.01）I;H01L31/20（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王錦樂;肖俊峰 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 通威太陽能（金堂）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 安徽知問律師事務(wù)所 代理人 平靜;王澤洋
地址 610000四川省成都市雙流區(qū)西南航空港經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)工業(yè)集中發(fā)展區(qū)六期內(nèi)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開了一種高光電轉(zhuǎn)換效率的HJT電池，屬于太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域。本實(shí)用新型的HJT電池包括N型晶體硅片，所述N型晶體硅片的正面依次設(shè)置第二本征非晶硅層、第二SiO層、第二C摻雜SiO層、非晶硅摻雜N型層、第二TCO導(dǎo)電層和第二電極；所述N型晶體硅片的背面依次設(shè)置第一本征非晶硅層、第一SiO層、第一C摻雜SiO層、非晶硅摻雜P型層、第一TCO導(dǎo)電層和第一電極，非晶硅摻雜P型層包括輕摻B非晶硅層和重?fù)紹非晶硅層。本實(shí)用新型制備而成的異質(zhì)結(jié)太陽電池，光電轉(zhuǎn)換效率可提高至24.3％以上，短路電流和開路電壓提升明顯，可以有效提高硅異質(zhì)結(jié)太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。