一種高效硅異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202120364374.7 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN215220730U | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-12-17 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN215220730U | 申請(qǐng)公布日 | 2021-12-17 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L31/0216（2014.01）I;H01L31/0224（2006.01）I;H01L31/0747（2012.01）I;H01L31/18（2006.01）I;H01L31/20（2006.01）I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 王錦樂(lè);肖俊峰 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 通威太陽(yáng)能（金堂）有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 安徽知問(wèn)律師事務(wù)所 | 代理人 | 平靜;王澤洋 |
| 地址 | 610000四川省成都市雙流區(qū)西南航空港經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)工業(yè)集中發(fā)展區(qū)六期內(nèi) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型公開(kāi)了一種高效硅異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池，屬于太陽(yáng)能電池技術(shù)領(lǐng)域。包括N型晶體硅片，所述N型晶體硅片的正面依次設(shè)置第二薄層SiO2層、第二氫化非晶碳氧化硅薄膜層、第二C摻雜SiO2層、非晶硅摻雜N型層、第二TCO導(dǎo)電層和第二電極；所述N型晶體硅片的背面依次設(shè)置第一薄層SiO2層、第一氫化非晶碳氧化硅薄膜層、第一C摻雜SiO2層、非晶硅摻雜P型層、第一TCO導(dǎo)電層和第一電極，本實(shí)用新型以氫化非晶碳氧化硅薄膜作為本征鈍化層的異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)電池，實(shí)現(xiàn)對(duì)晶硅表面優(yōu)良的鈍化效果，減少界面載流子復(fù)合；同時(shí)采用改進(jìn)的雙擴(kuò)B工藝，防止B2H6摻雜時(shí)B原子向本征非晶硅層擴(kuò)散帶來(lái)的禁帶寬度的降低和不必要的鈍化膜摻雜，提升硅異質(zhì)結(jié)電池的轉(zhuǎn)換效率。 |
