一種高速的閃存模擬器及其模擬方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201810532014.6 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)(公告)號(hào) CN108804272A 公開(kāi)(公告)日 2018-11-13
申請(qǐng)公布號(hào) CN108804272A 申請(qǐng)公布日 2018-11-13
分類號(hào) G06F11/26;G06F13/28 分類 計(jì)算;推算;計(jì)數(shù);
發(fā)明人 譚四方 申請(qǐng)(專利權(quán))人 深圳市德明利技術(shù)股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳市添源知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 代理人 深圳市德名利電子有限公司;深圳市德明利技術(shù)股份有限公司
地址 518000 廣東省深圳市龍華新區(qū)民治街道布龍路智慧谷創(chuàng)新園7樓701室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及存儲(chǔ)設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種高速的閃存模擬器及其模擬方法。本發(fā)明提供一種閃存的模擬方法,用于模擬器,該模擬器用以電性連接帶NandFlash接口的主機(jī),該模擬方法包括:讀數(shù)據(jù)的處理流程;讀錯(cuò)誤記錄信息的處理流程;擦除塊的處理流程;寫(xiě)(編程)數(shù)據(jù)的處理流程。本發(fā)明的有益效果是:1、閃存模擬器采用可編程邏輯本器件,成本便宜;2、全兼容閃存接口;3、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)用DRAM/SRAM代替閃存,讀寫(xiě)速度快;4、實(shí)際運(yùn)行時(shí)間可以縮短到原來(lái)的十分之一甚至到百分之一;5、大幅度的加快了測(cè)試驗(yàn)證速度,大幅度的節(jié)省研發(fā)/測(cè)試成本。