一種高速的閃存模擬器及其模擬方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810532014.6 申請日 -
公開（公告）號 CN108804272A 公開（公告）日 2018-11-13
申請公布號 CN108804272A 申請公布日 2018-11-13
分類號 G06F11/26;G06F13/28 分類 計算；推算；計數(shù);
發(fā)明人 譚四方 申請（專利權(quán)）人 深圳市德明利技術(shù)股份有限公司
代理機構(gòu) 深圳市添源知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 深圳市德名利電子有限公司;深圳市德明利技術(shù)股份有限公司
地址 518000 廣東省深圳市龍華新區(qū)民治街道布龍路智慧谷創(chuàng)新園7樓701室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及存儲設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種高速的閃存模擬器及其模擬方法。本發(fā)明提供一種閃存的模擬方法，用于模擬器，該模擬器用以電性連接帶NandFlash接口的主機，該模擬方法包括：讀數(shù)據(jù)的處理流程；讀錯誤記錄信息的處理流程；擦除塊的處理流程；寫（編程）數(shù)據(jù)的處理流程。本發(fā)明的有益效果是：1、閃存模擬器采用可編程邏輯本器件，成本便宜；2、全兼容閃存接口；3、數(shù)據(jù)存儲用DRAM/SRAM代替閃存，讀寫速度快；4、實際運行時間可以縮短到原來的十分之一甚至到百分之一；5、大幅度的加快了測試驗證速度，大幅度的節(jié)省研發(fā)/測試成本。