制造高密度大型微納結(jié)構(gòu)陣列的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201310224893.3 申請日 -
公開（公告）號 CN103320825B 公開（公告）日 2015-07-08
申請公布號 CN103320825B 申請公布日 2015-07-08
分類號 C25D7/00(2006.01)I;C25D5/02(2006.01)I;C25D5/04(2006.01)I;C25D17/00(2006.01)I;C25D21/12(2006.01)I 分類 電解或電泳工藝；其所用設(shè)備〔4〕;
發(fā)明人 俞敏莉;鄭建紅;李立峰 申請（專利權(quán)）人 寧波微極電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 寧波市鄞州甬致專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 寧波微極電子科技有限公司
地址 315194 浙江省寧波市鄞州區(qū)首南街道新興工業(yè)園區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種制造高密度大型微納結(jié)構(gòu)陣列的方法，它包括以下步驟:1）制備一個由N×M個微電解導(dǎo)管組成的低密度微電解導(dǎo)管陣列模板；2）將步驟1）中制備的低密度微電解導(dǎo)管陣列模板安裝在微區(qū)電解沉積系統(tǒng)上，控制每個微電解導(dǎo)管在導(dǎo)電基板上完成橫排n個微納結(jié)構(gòu)且相鄰微納結(jié)構(gòu)的間距為d1、縱排m個微納結(jié)構(gòu)且相鄰微納結(jié)構(gòu)的間距為d2的高密度小型微納結(jié)構(gòu)陣列的電沉積生長，整個N×M微電解導(dǎo)管陣列上的微電解導(dǎo)管同步工作，即可制得由（n×N）×（m×M）個微納結(jié)構(gòu)組成的高密度大型微納結(jié)構(gòu)陣列，本發(fā)明能低成本，高效率的制造高密度大型微納結(jié)構(gòu)陣列。