DRAM測試方法、電子設備和存儲介質

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210046739.0 申請日 -
公開（公告）號 CN114528164A 公開（公告）日 2022-05-24
申請公布號 CN114528164A 申請公布日 2022-05-24
分類號 G06F11/22（2006.01）I;G06F11/26（2006.01）I 分類 計算；推算；計數;
發(fā)明人 宋文杰 申請（專利權）人 深圳市晶存科技有限公司
代理機構 廣州嘉權專利商標事務所有限公司 代理人 -
地址 518048廣東省深圳市福田區(qū)福保街道福保社區(qū)桃花路1-3號達升大樓2層FB區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種DRAM測試方法，包括以下步驟：獲取DRAM的時序參數，所述DRAM具有兩個RANK，每個RANK具有對應的片選引腳和時鐘使能引腳；根據所述時序參數，對所述DRAM進行初始化；測試所述DRAM的第一個RANK；待測試完成后，DRAM控制器進入自刷新模式；同步第二個RANK的使能時鐘，激活第二個RANK的初始校驗參數，并將片選時鐘由第一個RANK切換至第二個RANK，以對第二個RANK進行測試；待第二個RANK測試完成后，所述DRAM控制器退出自刷新模式。根據本發(fā)明的DRAM測試方法，能夠進行兩個RANK之間的切換測試，用同樣的地址能夠表達兩個部分的DRAM真實行列地址，從而達到成倍的提升可測試的DRAM容量。