LPDDR降容電路及具有該電路的裝置

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202121394089.6 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN215815199U 公開(kāi)（公告）日 2022-02-11
申請(qǐng)公布號(hào) CN215815199U 申請(qǐng)公布日 2022-02-11
分類號(hào) G11C11/413（2006.01）I 分類 信息存儲(chǔ);
發(fā)明人 謝登煌;宋文杰;劉孜 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 深圳市晶存科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州嘉權(quán)專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 代理人 張志輝
地址 518048廣東省深圳市福田區(qū)福保街道福保社區(qū)桃花路1-3號(hào)達(dá)升大樓2層FB區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開(kāi)了一種LPDDR降容電路及具有其的裝置，LPDDR降容電路包括SOC控制芯片、第一LPDDR芯片和第二LPDDR芯片；其中，SOC控制芯片、第一LPDDR芯片和第二LPDDR芯片均為32位的芯片，且都具有雙通道；第二A通道的功能正常，第二B通道的功能異常；第三B通道的功能正常，第三A通道的功能異常；第一A通道與第二A通道連接，第一LPDDR芯片的16位數(shù)據(jù)線分別與SOC控制芯片的DQ0?DQ15引腳一一對(duì)應(yīng)連接；第一B通道與第三B通道連接，第二LPDDR芯片的16位數(shù)據(jù)線分別與SOC控制芯片的DQ16?DQ31引腳一一對(duì)應(yīng)連接。根據(jù)本實(shí)用新型的LPDDR降容電路，能夠?qū)⒁粋€(gè)只有A通道正常的LPDDR芯片和一個(gè)只有B通道正常的LPDDR芯片分別與SOC控制芯片連接起來(lái)，使得這兩個(gè)LPDDR芯片均能正常使用，從而減少了資源浪費(fèi)。