一種氮化鎵MMIC功率放大器芯片的加工工藝

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201910907931.2 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN110581061B 公開（公告）日 2022-03-01
申請(qǐng)公布號(hào) CN110581061B 申請(qǐng)公布日 2022-03-01
分類號(hào) H01L21/02（2006.01）I;H01L21/027（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李會(huì)杰;王靜輝;田志懷;李曉波;白欣嬌;李婷婷;張江鵬 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 同輝電子科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 河北知亦可為專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 張建茹
地址 050200河北省石家莊市鹿泉區(qū)高新技術(shù)開發(fā)區(qū)昌盛大街21號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種氮化鎵MMIC功率放大器芯片的加工工藝，屬于集成電路芯片制造的技術(shù)領(lǐng)域，包括對(duì)基片逐步進(jìn)行光刻橋墩、清洗、濺射鈦金金屬層、光刻橋面、電鍍、去膠、腐蝕鈦金金屬層、二次去膠，關(guān)鍵在于，所述的腐蝕鈦金金屬層工序包括將基片置于腐蝕液A和腐蝕液B中進(jìn)行腐蝕，腐蝕液A或腐蝕液B腐蝕時(shí)，基片振動(dòng)頻率15?30次/分鐘，腐蝕時(shí)間55?60s，控制環(huán)境溫度為22±2℃、濕度為55±5％RH；所述金屬腐蝕液A按照碘：碘化鉀：異丙醇：純水＝1:1:3:2的質(zhì)量比配制；所述的腐蝕液B按照氫氟酸、雙氧水、水＝1:1:10的質(zhì)量比配制，本發(fā)明能夠?qū)饘龠M(jìn)行充分腐蝕，腐蝕的效果良好，能夠完美達(dá)到工藝的要求。