一種SiC-MOSFET模塊的驅(qū)動(dòng)方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110252881.6 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113037261A 公開（公告）日 2021-06-25
申請(qǐng)公布號(hào) CN113037261A 申請(qǐng)公布日 2021-06-25
分類號(hào) H03K17/687 分類 基本電子電路;
發(fā)明人 白欣嬌;崔素杭;李帥;張策;李婷婷;袁鳳坡;曹世鯤;敖金平 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 同輝電子科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 石家莊元匯專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 張梅申
地址 050200 河北省石家莊市鹿泉區(qū)高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)園區(qū)昌盛大街21號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種SiC?MOSFET模塊的驅(qū)動(dòng)方法，包括以下步驟：檢測(cè)采樣，使用電壓檢測(cè)設(shè)備對(duì)電阻兩端的實(shí)時(shí)電壓進(jìn)行檢測(cè)，根據(jù)實(shí)時(shí)電壓對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行調(diào)節(jié)；再將實(shí)時(shí)電壓V?s分別與參考電壓V?ref、V?shut1或V?shut2進(jìn)行依次比較，將比較結(jié)果輸入至信息發(fā)送裝置中；該一種SiC?MOSFET模塊的驅(qū)動(dòng)方法，通過(guò)在驅(qū)動(dòng)方法中設(shè)置檢測(cè)采樣、存儲(chǔ)計(jì)算、互補(bǔ)判斷、時(shí)序判斷、芯片控制、故障判斷、脈沖生成七個(gè)步驟，使內(nèi)外管發(fā)生故障時(shí)，不需要先關(guān)斷外管、后關(guān)斷內(nèi)管才能保證SiC?Mosfet在短路耐受時(shí)間內(nèi)關(guān)斷；通過(guò)對(duì)控制芯片的有效使用，使分級(jí)關(guān)斷策略的效率被提升。