一種用于生產(chǎn)氧氯化鋯的氯化爐
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201720776297.X | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN207294206U | 公開(公告)日 | 2018-05-01 |
申請公布號 | CN207294206U | 申請公布日 | 2018-05-01 |
分類號 | C01G25/00 | 分類 | 無機(jī)化學(xué); |
發(fā)明人 | 韓曉玲;趙欣;馬公林;賈廣宇;王錫波;李亞茹;成光明 | 申請(專利權(quán))人 | 赤峰盛森硅業(yè)科技發(fā)展有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京力量專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) | 代理人 | 張廣輝 |
地址 | 024000 內(nèi)蒙古自治區(qū)赤峰市元寶山區(qū)五家工業(yè)園區(qū) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本實(shí)用新型涉及氧氯化鋯生產(chǎn)裝置領(lǐng)域,特別涉及一種用于生產(chǎn)氧氯化鋯的氯化爐。其包括反應(yīng)段、沉降段和過渡段;所述沉降段包括第一支撐殼體,所述第一支撐殼體內(nèi)設(shè)置第一保溫層;所述過渡段包括第二支撐殼體,所述第二支撐殼體內(nèi)設(shè)置第二保溫層,所述第二保溫層內(nèi)敷設(shè)第一耐火層;所述反應(yīng)段包括第三支撐殼體,所述第三支撐殼體內(nèi)設(shè)置第三保溫層,所述第三保溫層內(nèi)敷設(shè)第二耐火層,所述第三支撐殼體外繞設(shè)中頻線圈;所述沉降段設(shè)置有出氣口和第一加料口;所述反應(yīng)段設(shè)置有排渣口、氯氣進(jìn)氣口和第二加料口。本實(shí)用新型的目的在于提供一種用于生產(chǎn)氧氯化鋯的氯化爐,以解決現(xiàn)有氯化爐尺寸受限的問題。 |
