一種硅背刻蝕FBAR諧振器及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111386561.6 申請日 -
公開（公告）號 CN114070244A 公開（公告）日 2022-02-18
申請公布號 CN114070244A 申請公布日 2022-02-18
分類號 H03H9/02（2006.01）I;H03H3/02（2006.01）I 分類 基本電子電路;
發(fā)明人 李國強(qiáng) 申請（專利權(quán)）人 河源市艾佛光通科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州容大知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 劉新年
地址 517000廣東省河源市高新技術(shù)開發(fā)區(qū)高新五路、泥金路西邊辦公區(qū)二樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種硅背刻蝕FBAR諧振器及其制備方法，該諧振器按照從下向上的順序依次包括硅襯底、支撐層和壓電層；所述支撐層下方形成有空腔，并且所述支撐層部分暴露在所述空腔中，所述空腔的側(cè)壁由所述硅襯底形成；所述支撐層和所述壓電層之間設(shè)有下電極層，所述壓電層上方設(shè)有上電極層；所述諧振器還包括上負(fù)載層和下負(fù)載層；所述上負(fù)載層和所述下負(fù)載層分別沿所述上電極層和所述下電極層邊沿包圍設(shè)置，且所述下負(fù)載層穿透所述支撐層延伸至所述空腔內(nèi)；所述上負(fù)載層和所述下負(fù)載層呈上下對稱分布。本發(fā)明通過采用對稱型負(fù)載層設(shè)計(jì)可以減少壓電層中橫向模式的聲波能耗，有效降低FBAR諧振器在諧振峰位置的寄生波形，有利于構(gòu)建低插損的優(yōu)質(zhì)體聲波濾波器。