對稱負載層優(yōu)化的單晶薄膜體聲波諧振器及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111385405.8 申請日 -
公開（公告）號 CN114070243A 公開（公告）日 2022-02-18
申請公布號 CN114070243A 申請公布日 2022-02-18
分類號 H03H9/02（2006.01）I;H03H3/02（2006.01）I 分類 基本電子電路;
發(fā)明人 李國強 申請（專利權）人 河源市艾佛光通科技有限公司
代理機構 廣州容大知識產權代理事務所（普通合伙） 代理人 劉新年
地址 517000廣東省河源市高新技術開發(fā)區(qū)高新五路、泥金路西邊辦公區(qū)二樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種對稱負載層優(yōu)化的單晶薄膜體聲波諧振器及其制備方法。該諧振器按照從下往上的順序依次包括硅襯底、支撐層和單晶壓電薄膜層，所述硅襯底、所述支撐層和所述單晶壓電薄膜層之間形成有空腔；所述單晶壓電薄膜層的上下兩側分別設有上電極層和下電極層，所述下電極層位于所述空腔內；所述單晶壓電薄膜層上端和下端分別設置上負載層和下負載層，并且所述上負載層和所述下負載層關于所述單晶壓電薄膜層呈上下對稱分布。本發(fā)明通過采用對稱型負載層設計可以有效降低FBAR諧振器在諧振峰位置的寄生波形，本發(fā)明適用于鍵合工藝的單晶FBAR諧振器加工工藝中，在單晶壓電層的基礎上進一步降低了FBAR諧振器的損耗，有利于構建低插損的優(yōu)質體聲波濾波器。