功率控制用驅(qū)動(dòng)電路

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201410331421.2 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN105099420B 公開(kāi)（公告）日 2017-12-15
申請(qǐng)公布號(hào) CN105099420B 申請(qǐng)公布日 2017-12-15
分類號(hào) H03K17/687(2006.01)I 分類 基本電子電路;
發(fā)明人 嚴(yán)舒 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 鹽城詠恒投資發(fā)展有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 224000 江蘇省鹽城市鹽都區(qū)鹽龍街道吳徐村七組（D）
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種可使被控功率控制器件（MOSFET或IGBT）的開(kāi)通和關(guān)斷時(shí)間較短，驅(qū)動(dòng)電流足夠大的功率控制用驅(qū)動(dòng)電路。其包括：驅(qū)動(dòng)電路前級(jí)，用于根據(jù)外部送入的PWM信號(hào)或邏輯信號(hào)控制其電壓輸出端的輸出電壓；N?MOSFET，其柵極接驅(qū)動(dòng)電路前級(jí)的電壓輸出端；該N?MOSFET的柵極與源極之間設(shè)有第一電阻,N?MOSFET的漏極接驅(qū)動(dòng)電源；P?MOSFET，其柵極接驅(qū)動(dòng)集成電路的電壓輸出端；N?MOSFET的源極與P?MOSFET的源極之間設(shè)有第二電阻；被控功率控制器件，其柵極串接第三電阻后接P?MOSFET的源極,被控功率控制器件的源極接P?MOSFET的漏極。