半導體臺面器件鈍化方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN90106103.4 申請日 -
公開（公告）號 CN1023953C 公開（公告）日 1994-03-09
申請公布號 CN1023953C 申請公布日 1994-03-09
分類號 H01L21/31 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 周春英;呂亦梅;汪秀娟 申請（專利權）人 上海汽車電器總廠有限公司
代理機構 上海市機電工業(yè)管理局專利事務所 代理人 夏永興
地址 200082上海市楊浦區(qū)惠民路591號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種半導體臺面器件鈍化方法，它將腐蝕好的臺面器件沖洗好后，立即放入預先配置好的HF，HNo3，HAc，H2O溶液內，使其先生成一層染色膜，然后去掉保護膠后進行穩(wěn)定處理，接著放到淀積爐內再淀積一層氮化硅，最后再涂敷一層硅漆，這樣在臺面上形成染色膜-Si3N4-有機硅漆的多層保護層。經(jīng)本工藝鈍化的半導體臺面器件具有良好的穩(wěn)定性和可靠性，特別是在高溫環(huán)境下工作的器件，其高溫性能有了顯著的提高。