一種光伏器件內(nèi)封裝方法及內(nèi)封裝光伏器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210255522.0 申請日 -
公開（公告）號 CN114725287A 公開（公告）日 2022-07-08
申請公布號 CN114725287A 申請公布日 2022-07-08
分類號 H01L51/44（2006.01）I;H01L51/42（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 方國家;葛艷松 申請（專利權(quán)）人 武漢大學
代理機構(gòu) 武漢智權(quán)專利代理事務所（特殊普通合伙） 代理人 -
地址 430072湖北省武漢市武昌區(qū)珞珈山
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種光伏器件內(nèi)封裝方法及內(nèi)封裝光伏器件，該光伏器件內(nèi)封裝方法包括：在電子傳輸層表面涂覆氯化鈮前驅(qū)體，110～130℃退火，在電子傳輸層表面形成含氯的五氧化二鈮薄膜，即下封裝層；在下封裝層表面制備鈣鈦礦吸光層；在鈣鈦礦吸光層表面涂覆正丁基溴化胺溶液，使鈣鈦礦吸光層表層轉(zhuǎn)化為二維鈣鈦礦薄膜，即上封裝層。本發(fā)明通過在鈣鈦礦吸光層與電子傳輸層之間形成含氯的五氧化二鈮薄膜，使得鈣鈦礦結(jié)晶更貫穿，晶粒變大，缺陷態(tài)變小，減少碘離子遷移通道抑制碘離子遷移；正丁基溴化胺將三維鈣鈦礦吸光層表層轉(zhuǎn)化為二維鈣鈦礦薄膜，使得鈣鈦礦吸光層表面缺陷減少，并使殘余碘化鉛變少，最終使鈣鈦礦光伏器件的光電性能及穩(wěn)定性顯著提升。