一種制備CIGS薄膜的方法及CIGS薄膜

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201410598227.0 申請日 -
公開（公告）號 CN104319305A 公開（公告）日 2015-01-28
申請公布號 CN104319305A 申請公布日 2015-01-28
分類號 H01L31/0749(2012.01)I;H01L31/18(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 郭雨 申請（專利權(quán)）人 上海科慧太陽能技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳市凱達(dá)知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所 代理人 上?？苹厶柲芗夹g(shù)有限公司;安科智慧城市技術(shù)（中國）有限公司
地址 200092 上海市虹口區(qū)曲陽路379、383號四層4024室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種采用多靶材制備CIGS薄膜的方法，采用鍍鉬的玻璃、不銹鋼或柔性高分子膜作為基底，純金屬Cu、In、Ga、Se作為四個(gè)濺射靶的靶材，以純的氬氣為濺射氣體，在濺射設(shè)備內(nèi)對靶材進(jìn)行濺射，使基底上沉積CIGS薄膜，得到的CIGS薄膜其組分為CuxInyGa(1-y)Se，0≤x<1，0<y<1；其中，Cu、In、Ga與Se的濺射功率為W1、W2、W3與W4?？赏ㄟ^改變?yōu)R射靶的濺射功率，直接調(diào)節(jié)薄膜的元素比，無需更換靶材情況下制備出不同組分的膜層；所制備的薄膜具有與基底結(jié)合力高、均勻性好。