一種多晶硅薄膜的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201410598219.6 申請日 -
公開（公告）號 CN104328493A 公開（公告）日 2015-02-04
申請公布號 CN104328493A 申請公布日 2015-02-04
分類號 C30B28/14(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 李慧 申請（專利權(quán)）人 上?？苹厶柲芗夹g(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳市凱達(dá)知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所 代理人 上?？苹厶柲芗夹g(shù)有限公司;安科智慧城市技術(shù)（中國）有限公司
地址 200092 上海市虹口區(qū)曲陽路379、383號四層4024室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種低溫條件下的大面積多晶硅薄膜的制備方法，對襯底先進(jìn)行常規(guī)清洗后，放置于真空鍍膜系統(tǒng)中，使用氫氣對襯底再進(jìn)行等離子體原位清洗；采用硅烷和氫氣為反應(yīng)氣體，在襯底上進(jìn)行預(yù)沉積得到薄膜，將得到的薄膜采用氫氣進(jìn)行等離子刻蝕，對蝕刻后的薄膜進(jìn)行再次沉積得到多晶硅薄膜。本發(fā)明的技術(shù)方案可制備廉價的高質(zhì)量大面積的多晶硅薄膜，其晶粒晶界少，晶化程度高，晶粒大，用于太陽能電池上可望提高多晶硅薄膜太陽能電池的性能，同時在光電子器件等其他領(lǐng)域得到應(yīng)用。