OLED器件透明陰極及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011523819.8 申請日 -
公開（公告）號 CN112652726A 公開（公告）日 2021-04-13
申請公布號 CN112652726A 申請公布日 2021-04-13
分類號 H01L51/52;H01L51/56;C23C16/40;C23C16/455 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉騰飛;楊建兵;彭勁松;白羽;秦昌兵 申請（專利權(quán)）人 南京國兆光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京睿之博知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 劉菊蘭
地址 211111 江蘇省南京市江寧區(qū)正方中路166號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種OLED器件透明陰極及其制作方法，包括：采用原子層沉積方法在OLED器件表面直接沉積透明導(dǎo)電的陰極薄膜；所述原子層沉積方法制備時(shí)采用二乙基鋅作為鋅源材料，三甲基鋁作為鋁源原料以及雙氧水作為氧源原料。有效避免了現(xiàn)有技術(shù)中的制備方法在OLED的透明陰極層領(lǐng)域存在工藝匹配度差或薄膜損傷的缺陷。