晶體加熱器及加熱器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201720385812.1 申請日 -
公開（公告）號 CN206706249U 公開（公告）日 2017-12-05
申請公布號 CN206706249U 申請公布日 2017-12-05
分類號 C30B15/14(2006.01)I;C30B33/02(2006.01)I;C30B29/20(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 戎峻;帕夫洛·科涅夫斯基;亞歷山大·克勞斯;羅曼·薩夫羅諾夫 申請（專利權(quán)）人 青海晶煜晶體科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京超凡志成知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 吳開磊
地址 810000 青海省西寧市城中區(qū)創(chuàng)業(yè)路122號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型提供了一種晶體加熱器及加熱器，涉及晶體生長裝置的技術(shù)領(lǐng)域，包括長晶爐和加熱裝置；加熱裝置設(shè)置為中空結(jié)構(gòu)，且加熱裝置罩設(shè)于長晶爐外部，加熱裝置靠近長晶爐的一端至加熱裝置另一端設(shè)置有用于不同階段晶體生長的溫度梯度；通過一個加熱裝置而設(shè)置不同的溫度梯度，從而滿足不同階段晶體生長的溫度，對于化料、長晶、退火需要的溫度，形成了溫度梯度，緩解了現(xiàn)有技術(shù)中存在的加熱設(shè)備結(jié)構(gòu)復(fù)雜，加熱過程復(fù)雜，影響晶體生長的技術(shù)問題。