晶體加熱器及加熱器
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201720385812.1 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN206706249U | 公開(kāi)（公告）日 | 2017-12-05 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN206706249U | 申請(qǐng)公布日 | 2017-12-05 |
| 分類號(hào) | C30B15/14(2006.01)I;C30B33/02(2006.01)I;C30B29/20(2006.01)I | 分類 | 晶體生長(zhǎng)〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 戎峻;帕夫洛·科涅夫斯基;亞歷山大·克勞斯;羅曼·薩夫羅諾夫 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 青海晶煜晶體科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京超凡志成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 吳開(kāi)磊 |
| 地址 | 810000 青海省西寧市城中區(qū)創(chuàng)業(yè)路122號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型提供了一種晶體加熱器及加熱器，涉及晶體生長(zhǎng)裝置的技術(shù)領(lǐng)域，包括長(zhǎng)晶爐和加熱裝置；加熱裝置設(shè)置為中空結(jié)構(gòu)，且加熱裝置罩設(shè)于長(zhǎng)晶爐外部，加熱裝置靠近長(zhǎng)晶爐的一端至加熱裝置另一端設(shè)置有用于不同階段晶體生長(zhǎng)的溫度梯度；通過(guò)一個(gè)加熱裝置而設(shè)置不同的溫度梯度，從而滿足不同階段晶體生長(zhǎng)的溫度，對(duì)于化料、長(zhǎng)晶、退火需要的溫度，形成了溫度梯度，緩解了現(xiàn)有技術(shù)中存在的加熱設(shè)備結(jié)構(gòu)復(fù)雜，加熱過(guò)程復(fù)雜，影響晶體生長(zhǎng)的技術(shù)問(wèn)題。 |
