支撐結(jié)構(gòu)以及藍(lán)寶石單晶爐

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201621419100.9 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)(公告)號(hào) CN206328488U 公開(kāi)(公告)日 2017-07-14
申請(qǐng)公布號(hào) CN206328488U 申請(qǐng)公布日 2017-07-14
分類號(hào) C30B17/00;C30B29/20 分類 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 戎峻;楊勇;陳翼;吳勇強(qiáng) 申請(qǐng)(專利權(quán))人 青海晶煜晶體科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京超凡志成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 代理人 吳開(kāi)磊
地址 810000 青海省西寧市城中區(qū)創(chuàng)業(yè)路122號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型涉及藍(lán)寶石晶體生長(zhǎng)技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種支撐結(jié)構(gòu)以及藍(lán)寶石單晶爐,該支撐結(jié)構(gòu)包括鉬盤、氧化鋯磚層和支柱,氧化鋯磚層鋪設(shè)在鉬盤的底部;支柱的底端穿設(shè)在鉬盤和氧化鋯磚層,且支柱的頂端與藍(lán)寶石單晶爐的坩堝底部之間具有間隙,這種支撐結(jié)構(gòu)使得藍(lán)寶石單晶爐的系統(tǒng)具有更好的保溫效果,減小了單個(gè)晶體的功率消耗,晶體中的軸向和徑向溫度梯度減小,同時(shí)減小了晶體中的熱應(yīng)力和位錯(cuò)密度,并且支柱與坩堝底部間距可調(diào),使得底部傳熱量可以得到調(diào)整,進(jìn)而影響坩堝內(nèi)部的溫度梯度,從而生長(zhǎng)出形狀理想、內(nèi)部缺陷少的高質(zhì)量、高品質(zhì)的藍(lán)寶石單晶。