基于N型硅片的太陽能電池片及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201611043127.7 申請日 -
公開（公告）號 CN106784131A 公開（公告）日 2017-05-31
申請公布號 CN106784131A 申請公布日 2017-05-31
分類號 H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 郭少平;李紅光;楊偉彬;黃宏偉 申請（專利權(quán)）人 揭陽中誠集團有限公司
代理機構(gòu) 廣州三環(huán)專利代理有限公司 代理人 揭陽中誠集團有限公司;廣東中誠陽能科技有限公司
地址 522000 廣東省揭陽市經(jīng)濟開發(fā)試驗區(qū)中心路西側(cè)、西四橫路北側(cè)C棟
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種基于N型硅片的太陽能電池片及其制備方法，其對N型硅片依次進行清洗制絨、單面鍍氮化硅掩膜、三氯氧磷擴散、去掩膜和磷硅玻璃層、鍍減反射膜、絲網(wǎng)燒結(jié)、功率測試分選步驟后，得到一種基于N型硅片的太陽能電池片，該制備方法以一次鍍膜、一次擴散、二次鍍膜和二次燒結(jié)為主要步驟，大大簡化了N型太陽能電池片的制備工藝流程，且使用常規(guī)工藝的設(shè)備即可進行生產(chǎn)，不需要額外的特殊設(shè)備，制備步驟與現(xiàn)有技術(shù)相比有所簡化，且不僅能適用于標準硅片還適用于非標準硅片。