直拉法生長高純鍺單晶的單晶生長爐

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201821745466.4 申請日 -
公開（公告）號 CN209039630U 公開（公告）日 2019-06-28
申請公布號 CN209039630U 申請公布日 2019-06-28
分類號 C30B29/08（2006.01）I; C30B15/00（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 董汝昆; 惠峰; 李學(xué)洋; 普世坤; 鐘文; 趙燕; 陳代鳳; 張鵬; 滕文; 李長林; 林作亮 申請（專利權(quán)）人 武漢云晶飛光纖材料有限公司
代理機構(gòu) 昆明祥和知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 云南臨滄鑫圓鍺業(yè)股份有限公司;云南中科鑫圓晶體材料有限公司;昆明云鍺高新技術(shù)有限公司;武漢云晶飛光纖材料有限公司
地址 677000 云南省臨滄市臨翔區(qū)忙畔街道忙畔社區(qū)喜鵲窩組168號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 直拉法生長高純鍺單晶的單晶生長爐，涉及一種單晶生長爐設(shè)備，尤其是直拉法生長高純鍺單晶的單晶爐設(shè)備。直拉法生長高純鍺單晶的單晶生長爐，將石墨件安裝在石英爐管外面，并由石英保溫圈包裹將其密封，再配置相應(yīng)的高頻感應(yīng)線圈環(huán)繞于石英爐管外部；其中，石英爐管分為兩段，上段空心圓柱內(nèi)腔大于下段空心圓柱內(nèi)腔；所述的石英支撐件分為兩個部分，一部分設(shè)置于石英爐管內(nèi)，另一部分設(shè)置于石英爐管外部，支撐石墨件及石英保溫圈。本實用新型的結(jié)構(gòu)減少了部件所產(chǎn)生的污染源，進而提升超高純鍺單晶的質(zhì)量水平，從而保證了晶體生長過程中熱傳導(dǎo)的均勻性，并且延長了石墨件的使用壽命。