一種高質(zhì)量SiC單晶片及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911380293.X 申請日 -
公開（公告）號 CN113046825A 公開（公告）日 2021-06-29
申請公布號 CN113046825A 申請公布日 2021-06-29
分類號 C30B23/00;C30B33/02;C30B29/36 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 婁艷芳;劉春俊;趙寧;彭同華;楊建 申請（專利權(quán)）人 江蘇天科合達(dá)半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 紀(jì)志超
地址 102600 北京市大興區(qū)中關(guān)村科技園區(qū)大興生物醫(yī)藥產(chǎn)業(yè)基地天榮大街9號2幢301室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種高質(zhì)量SiC單晶片，包括：所述SiC單晶片具有直徑不小于100mm的單一晶型；所述SiC單晶片從室溫升溫到1450℃以上，翹曲度值小于100μm，彎曲度絕對值小于60μm。本發(fā)明還提供了一種高質(zhì)量SiC單晶片的制備方法。本發(fā)明提供的SiC單晶片的制備方法包括優(yōu)選高質(zhì)量的籽晶、生長參數(shù)穩(wěn)定精確可控，通過原位退火、一次退火，盡可能地消除晶體內(nèi)部殘余應(yīng)力；在加工過程中，盡量保持硅、碳面相近的表面狀況，并在加工初期對研磨片進(jìn)行退火，以降低晶片內(nèi)部應(yīng)力。因此，本發(fā)明提供的SiC單晶片的制備方法能夠獲得高溫下具有良好面型參數(shù)的高質(zhì)量SiC單晶片。