一種導電型碳化硅單晶及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011536526.3 申請日 -
公開（公告）號 CN112725893A 公開（公告）日 2021-04-30
申請公布號 CN112725893A 申請公布日 2021-04-30
分類號 C30B29/36;C30B23/00 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 劉春俊;雍慶;婁艷芳;趙寧;姚靜;王波;彭同華;楊建 申請（專利權）人 江蘇天科合達半導體有限公司
代理機構 北京集佳知識產(chǎn)權代理有限公司 代理人 付麗
地址 102600 北京市大興區(qū)中關村科技園區(qū)大興生物醫(yī)藥產(chǎn)業(yè)基地天榮大街9號2幢301室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種導電型碳化硅單晶，摻雜元素包括氮和原子半徑大于硅的原子半徑的元素；所述導電型碳化硅單晶的電阻率為0.01Ω·cm～0.05Ω·cm；所述原子半徑大于硅的原子半徑的元素的摻雜濃度為氮元素濃度的0.1％到10％。本發(fā)明中的碳化硅晶體，在氮元素摻入的基礎上，通過原子半徑大于硅的原子半徑的元素的引入，并控制氮和原子半徑大于硅的原子半徑的元素的濃度，在保證電阻率處于導電類型碳化硅單晶襯底要求的基礎上，能夠補償?shù)雍吞荚映叽绮町愐鸬木Ц窕?，降低晶體的內(nèi)應力，降低晶體內(nèi)部的位錯密度。本發(fā)明還提供了一種導電型碳化硅單晶的制備方法。