一種差分的射頻開關電路

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201110052219.2 申請日 -
公開（公告）號 CN102655404B 公開（公告）日 2015-06-03
申請公布號 CN102655404B 申請公布日 2015-06-03
分類號 H03K17/56(2006.01)I 分類 基本電子電路;
發(fā)明人 文耀鋒 申請（專利權）人 深圳市鉅芯集成電路技術有限公司
代理機構 上海光華專利事務所 代理人 蘇州聯(lián)科盛世科技有限公司;深圳市芯銳智能有限公司
地址 215123 江蘇省蘇州市蘇州工業(yè)園區(qū)星湖街328號3-B603單元
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種差分的射頻開關電路，包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管；其中，第一NMOS管的漏極與第二NMOS管的源極相連，第三NMOS管的漏極與第四NMOS管的源極相連；第一NMOS管的柵極與第三NMOS管的柵極相連，第二NMOS管的柵極與第四NMOS管的柵極相連；第一NMOS管的夾斷點、第二NMOS管的夾斷點、第三NMOS管的夾斷點及第四NMOS管的夾斷點均接地；第一NMOS管的源極接LNA接口；第二NMOS管的漏極接PA接口；第一NMOS管和第三NMOS管的柵極接電阻R1，第二NMOS管和第四NMOS管的柵極接電阻R2。本發(fā)明采用了全NMOS設計，在gate上串聯(lián)了電阻，可以有效降低MOS管上電容對射頻信號產(chǎn)生的影響，同時串聯(lián)電阻隔離了噪聲，使得電路整體的射頻損耗在0.5dB以內。