高分子正溫度系數(shù)熱敏電阻芯片的真空壓合設(shè)備

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201920322240.1 申請日 -
公開（公告）號 CN209418224U 公開（公告）日 2019-09-20
申請公布號 CN209418224U 申請公布日 2019-09-20
分類號 H01C7/02（2006.01）I; H01C17/06（2006.01）I; B32B37/10（2006.01）I; B32B38/18（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳瑜; 田宗謙; 羅進 申請（專利權(quán)）人 深圳市金瑞電子材料有限公司
代理機構(gòu) 深圳市華優(yōu)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 余薇
地址 518000 廣東省深圳市龍華區(qū)觀湖街道鷺湖社區(qū)五和大道310號金科工業(yè)園A座601
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型涉及高分子正溫度系數(shù)熱敏電阻元件技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種高分子正溫度系數(shù)熱敏電阻芯片的真空壓合設(shè)備。所述高分子正溫度系數(shù)熱敏電阻芯片的真空壓合設(shè)備包括排片對準(zhǔn)裝置和真空壓合裝置，所述真空壓合裝置包括鋼板和承載盤，所述排片對準(zhǔn)裝置設(shè)置在所述鋼板上方，用于發(fā)射對準(zhǔn)光線投射在所述鋼板上以形成高分子正溫度系數(shù)熱敏電阻芯片待壓件的排片投射區(qū)域。通過排片對準(zhǔn)裝置在鋼板上投射形成排片投射區(qū)域，避免了移動和擺放沉重的不銹鋼框架的繁瑣操作，避免了不銹鋼框架的芯料殘留物較難清理而污染電極膜、以及真空壓合過程中不銹鋼框架吸熱而影響壓合時間的情況，提高了正溫度系數(shù)熱敏電阻芯片制備的工作效率和產(chǎn)品良率。