負(fù)載納米薄膜改善燒結(jié)NdFeB晶界擴散的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010097766.1 申請日 -
公開（公告）號 CN112750611A 公開（公告）日 2021-05-04
申請公布號 CN112750611A 申請公布日 2021-05-04
分類號 H01F41/02;H01F1/057 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 郭芳;梁紅艷 申請（專利權(quán)）人 京磁材料科技股份有限公司
代理機構(gòu) 北京遠(yuǎn)大卓悅知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 卞靜靜
地址 101300 北京市順義區(qū)林河南大街9號院1號樓1至11層01內(nèi)3層312室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種負(fù)載納米薄膜改善燒結(jié)NdFeB晶界擴散的方法，包括：1)制備燒結(jié)釹鐵硼的黑片；2)采用磁控濺射方法對燒結(jié)釹鐵硼黑片進行負(fù)載TiO2納米晶體薄膜的制備：采用陶瓷TiO2靶，本底真空度低于3.5×10?4Pa時開始濺射，氬氣作為濺射氣體，濺射過程中進行冷卻；3)將負(fù)載TiO2納米晶體薄膜的燒結(jié)釹鐵硼黑片浸入含有鋱和/或鏑的懸濁液中采用涂覆法進行晶界擴散；4)晶界擴散完成后，進行熱處理，熱處理結(jié)束后，冷卻到室溫完成滲透過程。本發(fā)明將具有吸附特性的納米材料與涂覆工藝耦合起來，增強了涂層的結(jié)合力，改善了涂層易脫落，涂層不均勻等缺點。