一種LED倒裝芯片的紫光外延結(jié)構(gòu)及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911424944.0 申請日 -
公開（公告）號 CN110970533B 公開（公告）日 2021-10-08
申請公布號 CN110970533B 申請公布日 2021-10-08
分類號 H01L33/06（2010.01）I;H01L33/12（2010.01）I;H01L33/32（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 武杰;易翰翔;李玉珠;張洪安;陳慧秋 申請（專利權(quán)）人 廣東德力光電有限公司
代理機構(gòu) 廣州三環(huán)專利商標代理有限公司 代理人 顏希文;郝傳鑫
地址 529000廣東省江門市江海區(qū)彩虹路1號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種LED倒裝芯片的紫光外延結(jié)構(gòu)，自下而上依次包括：襯底、高溫AlGaN緩沖層、N型AlGaN電子阻擋層、超晶格N型AlGaN層、超晶格AlGaN/AlInGaN層、Alx1Iny1Ga1－x1－y1N/Alx2Iny1Ga1－x1－y1N發(fā)光有源區(qū)、最后一個AlX3Ga1－x1－y1N量子壘層、P型AlGaN/AIInGaN電子阻擋層、P型AlGaN層和接觸層；其中，Alx1Iny1Ga1－x1－y1N/Alx2Iny1Ga1－x1－y1N發(fā)光有源區(qū)包括多個交錯層疊設(shè)置的AlInGaN量子阱層和AlInGaN量子壘層，且AlInGaN量子阱層和AlInGaN量子壘層均為Al組分漸變層。本發(fā)明還公開了一種LED倒裝芯片的紫光外延結(jié)構(gòu)的制備方法。本發(fā)明既能減少由材料不同帶來的應(yīng)力及極化電場影響，又能降低GaN材料在365～370nm波段的吸光，提高發(fā)光效率。