一種條形化MicroLED芯片

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202120537648.8 申請日 -
公開（公告）號 CN214505495U 公開（公告）日 2021-10-26
申請公布號 CN214505495U 申請公布日 2021-10-26
分類號 H01L27/15（2006.01）I;H01L33/00（2010.01）I;H01L33/38（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張洪安;陳慧秋;武杰;易翰翔;李玉珠 申請（專利權(quán)）人 廣東德力光電有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 顏希文;管瑩
地址 529000廣東省江門市江海區(qū)彩虹路1號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型涉及Micro LED芯片技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種條形化Micro LED芯片，包括襯底和設(shè)于襯底上的GaN基外延片，GaN基外延片自下而上依次設(shè)有N型GaN層、發(fā)光量子阱層和P型GaN層，N型GaN層上鍍設(shè)有N型電極層，P型GaN層上鍍設(shè)有P型電極層，GaN基外延片設(shè)有多個縱橫交錯分布的隔離槽，隔離槽將GaN基外延片劃分為多個矩陣陣列布置的發(fā)光單元，隔離槽位于N型GaN層的上方且裸露N型GaN層的頂面，P型電極層將處于同一橫列或同一數(shù)列的P型GaN層連接。采用本實用新型，同一橫列或同一數(shù)列的發(fā)光單元會共同點亮，在封裝工藝技術(shù)上，只需在P型電極層的兩端進(jìn)行焊接即可，大大降低了封裝難度。