一種高一致性的MicroLED芯片

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202120537637.X 申請日 -
公開（公告）號 CN214505532U 公開（公告）日 2021-10-26
申請公布號 CN214505532U 申請公布日 2021-10-26
分類號 H01L33/38（2010.01）I;H01L33/58（2010.01）I;H01L33/14（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I;H01L27/15（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 武杰;易翰翔;郝銳;李玉珠;吳光芬 申請（專利權(quán)）人 廣東德力光電有限公司
代理機構(gòu) 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 顏希文;管瑩
地址 529000廣東省江門市江海區(qū)彩虹路1號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型涉及Micro LED芯片技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種高一致性的Micro LED芯片，包括襯底和設(shè)于襯底上的GaN基外延片，GaN基外延片自下而上依次設(shè)有N型GaN層、發(fā)光量子阱層和P型GaN層，N型GaN層上鍍設(shè)有N型電極層，P型GaN層上鍍設(shè)有P型電極層，GaN基外延片設(shè)有多個縱橫交錯分布的隔離槽，隔離槽將GaN基外延片劃分為多個矩陣陣列布置的發(fā)光單元，隔離槽位于N型GaN層的上方且裸露N型GaN層的頂面，隔離槽內(nèi)的N型GaN層的裸露頂面鍍設(shè)有與N型電極層一體成型的內(nèi)置N型電極層，內(nèi)置N型電極層的側(cè)邊與發(fā)光單元相隔。采用本實用新型，內(nèi)置N型電極層的設(shè)置使電流在N型GaN層擴散時均勻分布，從而確保各發(fā)光單元發(fā)光時的亮度保持一致。