一種大功率倒裝高壓芯片

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202120536116.2 申請日 -
公開（公告）號 CN214505531U 公開（公告）日 2021-10-26
申請公布號 CN214505531U 申請公布日 2021-10-26
分類號 H01L33/38（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I;H01L27/15（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 易翰翔;武杰;郝銳;李玉珠;陳慧秋 申請（專利權(quán)）人 廣東德力光電有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 顏希文;管瑩
地址 529000廣東省江門市江海區(qū)彩虹路1號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型涉及LED芯片技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種大功率倒裝高壓芯片，包括襯底和設(shè)于襯底上的多個(gè)串聯(lián)連接的GaN基外延層單元，GaN基外延層單元包括設(shè)于N型GaN層和P型GaN層，P型GaN層鍍設(shè)有P型電極層，N型GaN層鍍設(shè)有N型電極層，相鄰的兩個(gè)GaN基外延層單元中，上一個(gè)GaN基外延層單元的N型電極層通過連接電極層與下一個(gè)GaN基外延層單元的P型電極層連接，P型電極層、連接電極層和N型電極層均包括從上至下依次設(shè)置的AuSn層、Au層、Ni層、第一Ti層、第一AlCu層、第二Ti層、第二AlCu層和Cr層。采用本實(shí)用新型能減少電極層數(shù)，因此生產(chǎn)的工步減少，成本減少，制程加快，同時(shí)正負(fù)電極之間的高低差減少，有利于后續(xù)的焊接以及芯片的散熱。