一種散熱效果好的LED芯片
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202120537787.0 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN214505533U | 公開(公告)日 | 2021-10-26 |
申請公布號 | CN214505533U | 申請公布日 | 2021-10-26 |
分類號 | H01L33/46(2010.01)I;H01L33/64(2010.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 張洪安;陳慧秋;武杰;易翰翔;李玉珠 | 申請(專利權(quán))人 | 廣東德力光電有限公司 |
代理機構(gòu) | 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 | 代理人 | 顏希文;管瑩 |
地址 | 529000廣東省江門市江海區(qū)彩虹路1號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本實用新型涉及LED芯片技術(shù)領(lǐng)域,公開了一種散熱效果好的LED芯片,包括襯底、設(shè)置在襯底上的N型層、設(shè)置在N型層的一側(cè)上的MQW層、設(shè)置在MQW層上的P型層、設(shè)置在P型層上的透明導(dǎo)電層、以及設(shè)置在透明導(dǎo)電層的一側(cè)上的DBR結(jié)構(gòu),N型層的另一側(cè)上和透明導(dǎo)電層的另一側(cè)上均設(shè)置有第一PAD層,第一PAD層上設(shè)置有第二PAD層,DBR結(jié)構(gòu)包括從下至上依次設(shè)置的DBR+Al2O3層、Al層和Al2O3+DBR層。本實用新型的DBR結(jié)構(gòu)通過從下至上依次設(shè)置的DBR+Al2O3層、Al層和Al2O3+DBR層的設(shè)計,大大提高了散熱效率,具有優(yōu)良的散熱效果,有效防止UVC芯片效率低熱量大而發(fā)生過熱,能夠應(yīng)用于高反射率的薄膜,適用范圍廣。 |
