一種紫外高反射率的復(fù)合電極及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911424903.1 申請日 -
公開（公告）號 CN111129257B 公開（公告）日 2021-10-08
申請公布號 CN111129257B 申請公布日 2021-10-08
分類號 H01L33/46;H01L33/42 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 易翰翔;李玉珠;武杰;張洪安;陳慧秋 申請（專利權(quán)）人 廣東德力光電有限公司
代理機構(gòu) 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 顏希文
地址 529000 廣東省江門市江海區(qū)彩虹路1號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種紫外高反射率的復(fù)合電極，包括N型層、設(shè)于所述N型層上方的量子阱及設(shè)于所述量子阱上方的P型層，所述P型層上方設(shè)有多個獨立的ITO圓柱，所述ITO圓柱表面設(shè)有連續(xù)的Al薄膜。本申請復(fù)合電極中，通過ITO圓柱圖形化及純Al薄膜的搭配設(shè)計，大大改善了電流擴展效果，減少ITO吸光面積，減少反射路徑和路經(jīng)的吸光層；形成純Al+DBR的復(fù)合反射層，大大提高反射率。同時，本發(fā)明還公開一種所述紫外高反射率的復(fù)合電極的制備方法。