一種帶間級聯(lián)探測器及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011463550.9 申請日 -
公開（公告）號 CN112582497A 公開（公告）日 2021-03-30
申請公布號 CN112582497A 申請公布日 2021-03-30
分類號 H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0304(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/109(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 黃文祥 申請（專利權(quán)）人 睿創(chuàng)微納（無錫）技術(shù)有限公司
代理機構(gòu) 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 李曉光
地址 214001江蘇省無錫市新吳區(qū)菱湖大道200號中國傳感網(wǎng)國際創(chuàng)新園G8-403-A
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種帶間級聯(lián)探測器及其制作方法，該帶間級聯(lián)探測器由多級級聯(lián)臺階構(gòu)成，每一級聯(lián)臺階包括電子勢壘層、超晶格吸收區(qū)和空穴勢壘層。第一至第三級超晶格吸收區(qū)采用InAs/InAsSb二類超晶格，既保持了帶間級聯(lián)探測器的自身優(yōu)勢，又可降低暗電流水平，從而改善帶間級聯(lián)探測器的探測率。??