紅外半導體激光器及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011463525.0 申請日 -
公開（公告）號 CN112582879A 公開（公告）日 2021-03-30
申請公布號 CN112582879A 申請公布日 2021-03-30
分類號 H01S5/20(2006.01)I;H01S5/343(2006.01)I;H01S5/32(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 黃文祥 申請（專利權）人 睿創(chuàng)微納（無錫）技術有限公司
代理機構 北京集佳知識產(chǎn)權代理有限公司 代理人 李曉光
地址 214001江蘇省無錫市新吳區(qū)菱湖大道200號中國傳感網(wǎng)國際創(chuàng)新園G8-403-A
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請實施例公開了一種紅外半導體激光器及其制備方法，包括多個級聯(lián)臺階、關于多個級聯(lián)臺階對稱設置的第一波導層和第二波導層以及關于多個級聯(lián)臺階對稱設置的第一外限制層和第二外限制層，其中，第一外限制層和第二外限制層均為n型重摻雜的InAs層，由于n型重摻雜的InAs層具有較低的折射率，增大了外限制層和級聯(lián)臺階的折射率差值，從而使級聯(lián)臺階中的光場限制因子增大，提高了紅外半導體激光器的光學增益，進而降低了紅外激光器的閾值電流和能耗。同時，由于n型重摻雜的InAs層具有較高的熱導率，避免了熱量積累，從而提高了紅外激光器的工作溫度。??